在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，

第1题：

在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。

A对

B错

第2题：

在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？

第3题：

第4题：

分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？

第5题：

试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）

• A、试品电容量越大，影响越大
• B、试品电容量越小，影响越小
• C、试品电容量越小，影响越大
• D、与试品电容量的大小无关

第6题：

CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。

第7题：

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。

第8题：

M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。

A对

B错

第9题：

在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。

第10题：

M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。