IGBT的驱动方法和()基本相同,故具有高输入阻抗特性。
第1题:
以下器件属于通过门极信号既能控制其导通又能控制其关断的器件的是:()
A、BJT
B、GTO
C、SCR
D、IGBT
第2题:
第3题:
A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT
B.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT
C.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE
D.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
第4题:
采用交-直-交技术的变频器,整流环节通常使用哪些电力电子器件?()
第5题:
A.输出饱和压降低;
B.输入阻抗高;
C.开关速度高;
D.通态度损耗小;
第6题:
A.GTR驱动的MOSFET
B.MOSFET驱动的GTR&"160;
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET驱动的GTO
第7题:
A、GTR驱动的MOSFET
B、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管
D、MOSFET驱动的GT0
第8题:
A、GTM
B、GTN
C、GTO
D、GTR
第9题:
IGBT的驱动方法和()基本相同,故具有高输入阻抗特性。
第10题:
绝缘栅双极晶体管指的是()。