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GIS中有可能引起电场畸变的主要绝缘缺陷包括：（）。A、自由金属微粒；B、绝缘子气隙；C、绝缘子表面金属污染物；D、悬浮电极。

题目

GIS中有可能引起电场畸变的主要绝缘缺陷包括：（）。

  • A、自由金属微粒；
  • B、绝缘子气隙；
  • C、绝缘子表面金属污染物；
  • D、悬浮电极。
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