下列有关漏磁通的叙述正确的是()。

题目

下列有关漏磁通的叙述正确的是()。

  • A、内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大
  • B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
  • C、表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱
  • D、用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化
如果没有搜索结果或未解决您的问题,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

下列有关文件的叙述中,正确的是( )


正确答案:C
随机文件是以随机方式存取的文件,由一组长度相等的记录组成。它有如下特点:①随机文件的记录长度为固定长度。使用前每个字段所占字节必须事先定好。②记录包含有一个或多个字段(Field),记录必须是用户自定义标准类型。③每个记录都有一个记录号,随机文件打开后,既可读又可写,可以根据记录号访问文件中的任何一个己录,不需要像顺序文件一样按顺序进行。

第2题:

下列有关饮食禁忌的叙述,不正确的是( )


正确答案:B

第3题:

下列有关妊娠禁忌药的叙述,不正确的是( )


正确答案:C

第4题:

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的

  • A、磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关
  • B、缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小
  • C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
  • D、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
  • E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
  • F、c,d和e都对

正确答案:F

第5题:

下列关于漏磁通的叙述,正确的是()

  • A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大
  • B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比
  • C、表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降
  • D、用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化

正确答案:C

第6题:

下列有关糖异生的正确叙述是( )。


正确答案:E

第7题:

下列有关处方的意义的叙述,不正确的是( )


正确答案:A

第8题:

下列有关合同转让的叙述,正确的是( )。


正确答案:C

第9题:

下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()

  • A、与试件上总的磁通密度有关
  • B、与缺陷自身高度有关
  • C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
  • D、以上都对

正确答案:D

第10题:

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关


正确答案:磁通密度;几何形状;方向

更多相关问题