晶体三极管甲的=200，ICBO=10A，晶体三极管乙的=80，ICBO=0.2A，两管比较，可判定是晶体三级管（）的性能好。

第1题：

第2题：

第3题：

第4题：

温度升高时，三极管参数正确变化的是（）。

• A、Icbo，Ube，β均增大
• B、Icbo，Ube，β均减小
• C、Icbo及β增大，Ube下降
• D、Icbo及β下降，Ube增大

第5题：

温度减小时，使晶体三极管参数发生如下变化（）。

• A、V_BE减小，β增加，ICBO增加
• B、V_BE减小，β减小，ICBO减小
• C、V_BE增加，β增加，ICBO增加
• D、V_BE增加，β减小，ICBO减小

第6题：

第7题：

答案：B

解析：

对于硅管而言，虽然三个参数均随温度而变化，但其中ICBO，的值很小，对工作点稳定性影响较小。硅管的VBE的温度系数为-2.2mV/℃，在任意温度T时的VBE为：



可见VBE随温度升高而降低。电流放大系数β会随温度的升高而增大，这是因为温度升高后，加快了基区注入载流子的扩散速度，根据试验结果，温度每升高一度，β增加大约0.5%～1%。UBE减小，集电极反向饱和电流ICBO增加。β的增加导致集电极电流IC增加。三极管的温度特性较差，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。

第8题：

第9题：

硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。

第10题：

三极管反向饱和电流I_cbo与发射极穿透电流I_ceo之间的关系为（），β为电流放大倍数。

• A、Iceo＝Icbo；
• B、Iceo＝（β＋1）Icbo；
• C、Iceo＝βIcbo；
• D、Iceo＝（β－1）Icbo。