给出硅片制造中光刻胶的两种目的。

题目
问答题
给出硅片制造中光刻胶的两种目的。
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相似问题和答案

第1题:

什么是硅化物?难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么?


正确答案:硅化物是难熔金属与硅反应形成的金属化合物,是一种具有热稳定性的金属化合物,并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。
难熔金属硅化物的优点和其作用:
1、降低接触电阻
2、作为金属与有源层的粘合剂
3、高温稳定性好,抗电迁移性能好
4、可直接在多晶硅上淀积难熔金属,经加温处理形成硅化物,工艺与现有硅栅工艺兼容

第2题:

例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。


正确答案:金属用于硅片制造的七个要求:
1.导电率:为维持电性能的完整性,必须具有高电导率,能够传导高电流密度。
2.粘附性:能够粘附下层衬底,容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积:易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分(对于合金)。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化:为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形;大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性:为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化,金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性:很好的抗腐蚀性,在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力:很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效,比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。

第3题:

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?


正确答案:一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中,保护下面的材料

第4题:

问答题
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

正确答案: 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域,其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
解析: 暂无解析

第5题:

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。


正确答案:连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度,显影时间,显影液量,硅片洗盘,当量浓度,清洗,排风。

第6题:

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?


正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域,其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

第7题:

集成电路是指在一个半导体硅片上制造的电子电路。()


正确答案:正确

第8题:

例举硅片制造厂房中的7种玷污源。


正确答案:硅片制造厂房中的七中沾污源:
(1)空气:净化级别标定了净化间的空气质量级别,它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的;
(2)人:人是颗粒的产生者,人员持续不断的进出净化间,是净化间沾污的最大来源;
(3)厂房:为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行,有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出;
(4)水:需要大量高质量、超纯去离子水,城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品
(5)工艺用化学品:为了保证成功的器件成品率和性能,半导体工艺所用的液态化学品必须不含沾污;
(6)工艺气体:气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒;
(7)生产设备:用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒来源。

第9题:

单晶硅硅片的制造过程?


正确答案: 首先将用CZ法得到的单晶硅铸模用专用切割机进行切割。目前太阳能电池用的铸模,仍以生产性能高的线形锯切割为主,然后对切割面进行研磨,使其表面平滑。由于切割面是被机械冲击过的,因此会残留结晶变形,使电气特性变坏,因此需用HF+HNO3进行腐蚀,使表面减薄10~20μm的程度。最终得到约为300μm厚的硅片。

第10题:

判断题
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
A

B


正确答案:
解析: 暂无解析