什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?

题目
问答题
什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?
如果没有搜索结果或未解决您的问题,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?


正确答案: 沟道效应:对晶体靶进行离子注入,当离子速度方向平行于主晶轴时,将很少受到核碰撞,离子将沿沟道运动,注入深度很深。由于沟道效应,使注入离子浓度的分布产生很长的拖尾,对于轻原子注入到重原子靶时,拖尾效应尤其明显。解决办法:A.偏离轴注入,采用7°的倾斜角,但并不能完全消除沟道效应。B.注入前破坏晶格结构,使用Si、F或Ar离子注入完成硅的预非晶化。C.使用薄的屏蔽氧化层,使离子进入晶体前的速度方向无序化,但会将部分氧注入晶体。(1)偏轴注入:一般选取5~7倾角,入射能量越小,所需倾角越大(2)衬底非晶化预处理:进行一次高剂量Ar+注入,使硅表面非晶化(3)非晶层散射:表面生长200~250Å二氧化硅(ScreenOxidE.,使入射离子进入硅晶体前方向无序化(4)注入杂质的自非晶化效应:重杂质(As),高剂量注入。

第2题:

什么是屏蔽效应和钻穿效应?他们对原子轨道能量有何影响?


正确答案:在多电子原子体系中,电子与电子间有相互排斥作用,特别是内层和同层电子对外层电子的排斥力削弱了原子核对外层电子的吸引力,这就叫做屏蔽效应,屏蔽效应使原子轨道的能量升高。主量子数较大而角量子数较小的原子轨道的电子云径向分布图有多个小峰,除其最高峰外,其余小峰伸入到了内层轨道的主峰内,这种现象叫钻穿效应,钻穿效应由于避免了内层电子的屏蔽效应,所以使原子轨道的能量降低。

第3题:

什么是门限效应?哪些模拟调制,在什么情况下会出现门限效应?


参考答案:所谓“门限效应”,就是输入信噪比下降到某一值时,它的输出信噪比随之急剧下降的现象。AM调制在非相干解调(包络检波)的情况下会出现门限效应。

第4题:

什么是内光电效应?什么是外光电效应?说明其工作原理并指出相应的典型光电器件。


正确答案: 当用光照射物体时,物体受到一连串具有能量的光子的轰击,于是物体材料中的电子吸收光子能量而发生相应的电效应(如电阻率变化、发射电子或产生电动势等)。这种现象称为光电效应。
1)当光线照在物体上,使物体的电导率发生变化,或产生光生电动势的现象叫做内光电效应,内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。入射光强改变物质导电率的物理现象称光电导效应,典型的光电器件有光敏电阻;光照时物体中能产生一定方向电动势的现象叫光生伏特效应,光电池、光敏晶体管。
2)在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,典型的光电器件有光电管、光电倍增管。

第5题:

什么是光电效应和光电器件?常用的光电器件有哪几大类?


正确答案: 所谓光电效应,是指物体吸收了具有一定能量的光子后所产生的电效应。根据光电效应原理工作的光电转换器件称为光电器件。
常用的光电器件主要有外光电效应器件和内光电效应器件两大类。

第6题:

绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种


正确答案:正确

第7题:

什么是光电效应和光电器件?常用的光电器件有哪几大类?试解释这几类光电器件各自的工作基础并举例?


正确答案:所谓光电效应,是指物体吸收了具有一定能量的光子后所产生的电效应。根据光电效应原理工作的光电转换原件称为光电原件。
常用的光电原件主要有外光电效应器件和内光电效应器件两大类。
外光电效应器件的工作基础是基于外光电效应。所谓外光电效应,是指在光线作用下,电子逸出物体表面的现象。相应光电器件主要有光电管和光电倍增管。
内光电效应器件的工作基础是基于内光电效应。所谓内光电效应,是指在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的现象,它可分为光导效应和光生伏特效应。内光电效应器件主要有:光敏电阻、光电池、光敏二极管和光敏三极管。

第8题:

什么是岩溶混合溶蚀效应?对岩溶发育有何影响?


正确答案: 两种分别已经饱和的溶液,不再具有溶蚀能力;但这两种溶液混合以后,可以重新具有溶蚀能力。所以断裂带或节理裂隙汇合点岩溶特别发育,河谷侧向常能形成大型水平岩溶带。

第9题:

什么是外光电效应?内光电效应?(光生伏特效应、光电导效应)。光电器件中的光照特性、光谱特性分别描述的是光电器件的什么性能?


正确答案: 外光电效应:在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫外光电效应。
内光电效应:当光线照在物体上,使物体的电导率发生变化或者产生光生电动势的现象叫内光电效应。(内光电效应分为光生伏特效应、光电导效应) 光生伏特效应:光照时物体中能产生一定方向的电动势的现象叫光生伏特效应。
光电导效应:入射光强改变物质导电率的物理现象叫光电导效应。

第10题:

为什么IGBT是电导调制性场效应管?


正确答案: IGBT的开通和关断由栅极控制。当栅极施以正电压时,在栅极下的P区内形成N沟道,它连通了源区和漂移区,为PNP晶体管提供了基流,从而使IGBT导通。此时,从P+区注如到N-区的空穴对N-区进行电导调制,减小N-区的电阻Rdr(GTR厚基区内的扩展电阻),使高耐压的IGBT也具有与GTR相当的低通态压降。所以可认为IGBT是电导调制性场效应管。