磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向与原磁场强度相反（θ＝180°）时，霍尔电动势（），因此霍尔元件可用于测量

第1题：

利用霍尔效应制作的霍尔元件．广泛应用于测量和自动控制等领域。下图是霍尔原理工作图，磁感应强度为B，磁场方向垂直于霍尔元件的工作面向里，通入图示方向的电流为I，a、b两侧面会形成电势差。下列正确的是（　　）。

A．若霍尔元件的载流子是正电荷，a侧电势高于b侧
B．若霍尔元件的载流子是负电荷，a侧电势高于b侧
C．无论霍尔元件的载流子是正、负电荷。a侧电势均高于b侧
D．霍尔元件给定后，霍尔电压反比于磁感应强度B和通人的电流，的大小

答案：A

解析：

如果霍尔元件的载流子是负电荷，它沿着与电流I相反的x轴负向运动，根据左手定则，

第2题：

用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）

• A、与霍尔材料的性质无关；
• B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比；
• C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比；
• D、与霍尔片的厚度成正比

第3题：

第4题：

置于磁场中的导体或半导体薄片，当有电流通过时，在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势，称之为（）

• A、压电效应
• B、磁阻效应
• C、霍尔效应
• D、光电效应

第5题：

霍尔式曲轴位置传感器是利用触发叶片或齿轮改变通过霍尔元件的磁场强度，使霍尔元件产生脉冲的霍尔电压信号，经放大整形而输出信号的。（）

第6题：

霍尔效应的原因是（）

• A、电流在磁场中受到洛仑兹力
• B、霍尔元件在磁场中感生出电动势
• C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力
• D、霍尔元件在磁场中受到重力

第7题：

霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于（）.

• A、霍尔元件的材质
• B、元件的尺寸
• C、控制电流i
• D、元件所在磁场的磁感应强度
• E、电流i与磁场方向的夹角

第8题：

第9题：

霍尔式曲轴位置传感器利用触发叶片改变通过霍尔元件的磁场强度，从而使霍尔元件产生脉冲的霍尔（）信号，即为曲轴位置传感器的输出信号。

• A、光敏
• B、电阻
• C、电压

第10题：

用霍尔法测磁感应强度时，霍尔片上除了不等势电压外，还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应，这些副效应大多通过（）方法，即改变（）和（）的方向加以消除。如果电流沿X轴方向，磁场沿Z轴方向，由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向，则此霍尔元件是由（）（填N型或P型）半导体材料制造的。