对
错
第1题：
影响放大电路高频特性的主要因素是()。
A、耦合电容和旁路电容的存在
B、半导体极间电容和分布电容的存在
C、半导体的非线性特性
D、放大电路的静态工作点不合适
第2题：
决定RC串联正弦波发生器振荡频率的器件有电阻、（）。
第3题：
放大器上限频率（高频特性）的存在是由于( )的影响造成的。
A.耦合电容
B.旁路电容
C.电阻
D.晶体管电容
第4题：
动态RAM存储信息依靠的是（）。
第5题：
PN结的主要特性是（）。
第6题：
PN结的主要特性是()。
A.单向导电性、电容效应
B.电容效应、击穿特性
C.单向导电性、击穿特性
D.单向导电性、电容效应、击穿特性
第7题：
用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种，其中DRAM以电容来存储信息，需要定期进行（）
第8题：
A、触发器
B、晶体管
C、MOS管
D、电容
第9题：
动态RAM的基本存储电路是（）。
第10题：
工作电容是指回线两导体之间的电容，工作电容是电缆电气特性的一个主要参数。