第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第3题:
此题为判断题(对,错)。
第4题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,
①SRAM比DRAM存储电路简单
②SRAM比DRAM成本高
③SRAM比DRAM速度快
④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新
其中哪两个叙述是错误的?
A.①和②
B.②和③
C.③和④
D.①和④
第5题:
具有记忆功能的各类触发器是构成时序电路的基本单元。()
第6题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:
① SRAM比DRAM存储电路简单
② SRAM比DRAM成本高
③ SRAM比DRAM速度快
④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新
A.①和②
B.②和③
C.③和④
D.①和④
第7题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:
Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单
Ⅱ.DRAM比SRAM成本高
Ⅲ.DRAM比SRAM速度快
Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新
其中哪两个叙述是错误的?
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第8题:
A、记忆单元
B、编码器
C、加法器
第9题:
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失,需定时给电容上的电荷进行补充,这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的,该过程称为DRAM的______。
第10题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中( )叙述是错误的。
①SRAM比DRAM存储电路简单
②SRAM比DRAM成本高
③SRAM比DRAM速度快
④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新
A.①和②
B.②和③
C.③和④
D.①和④