第1题:
采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组()电阻,并将电阻接成桥路。
第2题:
叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。
第3题:
A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅
B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅
C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅
D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
第4题:
在单晶硅表面制作绒面时,常用的各向异性腐蚀剂有有机腐蚀剂和(),并且被腐蚀的单晶硅表面为100晶面时,可形成金字塔方椎形状,腐蚀后方椎高度一般为3~6μm。
第5题:
()是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,边缓慢旋转提拉,使结晶生长,最后得到长棒形状的单晶硅。
第6题:
将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?
第7题:
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
第8题:
A.上述说法均不对
B.缩颈生长与尾部生长
C.等径生长
D.放肩生长
第9题:
工业中单晶硅的制备方法主要有()和区熔法(FZ法)
第10题:
单晶硅锭的制备方法很多,目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。