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什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？

题目
问答题
什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？
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第1题：

若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()


正确答案:错

第2题：

稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。

A.PN结的单向导电性
B.PN结的反向击穿特性
C.PN结的正向导通特性
D.PN工艺特性

答案：B
解析：

第3题：

用万用表尺×100Q挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。

A、两个PN结都被烧坏

B、发射极被击穿

C、集电极被击穿

D、两个PN结都被击穿


参考答案：D

第4题：

硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。

  • A、PN结的反向击穿特性
  • B、PN结的单向导电特性
  • C、PN结的正向导通特性
  • D、PN结的反向截止特性

正确答案:B

第5题：

什么叫PN结的反向击穿？


正确答案: 当PN结处于反向偏置时，若外加反向电增加到一定数值，流出PN结的电流激增，这种现象称为PN结的反向击穿。

第6题：

当在PN结上加正向电压时，PN结处于（ ）状态。

A.击穿
B.饱和
C.截止
D.导通

答案：D
解析：
当在PN结上加正向电压时PN结应出狱导通状态。

第7题：

PN结一旦击穿，就必然损坏。

A对

B错


错
略

第8题：

用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。

A、两个PN结都被烧坏

B、发射极被击穿

C、集电极被击穿

D、两个PN结都被击穿


参考答案：D

第9题：

PN结一旦击穿，就必然损坏。


正确答案:错误

第10题：

半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。

  • A、PN结的单向导电性
  • B、PN结的反向击穿特性
  • C、PN结的正向导通特性
  • D、PN结的反向截止特性

正确答案:B

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