在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。

题目
单选题
在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。
A

稳定区

B

第一介稳区

C

第二介稳区

D

不稳定区

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第1题:

在分批冷却结晶操作中,使“溶液慢慢达到过饱和状态,产生较多晶核”的操作方式是()

  • A、不加晶种,迅速冷却
  • B、不加晶种,缓慢冷却
  • C、加晶种,迅速冷却
  • D、加晶种而缓慢冷却

正确答案:B

第2题:

析碘过程碘从溶液中析出可分为()

  • A、过饱和溶液的形成
  • B、晶核的生成
  • C、晶体的成长
  • D、加入晶种

正确答案:A,B,C

第3题:

在外加晶种的结晶过程中,搅拌以及过饱和度控制不当易产生成核。()

此题为判断题(对,错)。


正确答案:正确

第4题:

加晶种控制结晶,使溶液的过饱和度控制在介稳区中,不会出现()现象

  • A、初级成核
  • B、次级成核
  • C、均相成核
  • D、非均相成核

正确答案:A

第5题:

根据结晶动力学理论,工业结晶操作时选择过饱和度的原则是()。

  • A、不影响结晶密度(质量)
  • B、结晶成核速率
  • C、结晶生长速率
  • D、不易产生晶垢

正确答案:A,D

第6题:

关于碳酸氢钠结晶,下列说法正确的是()。

  • A、适宜的中温可以使在冷却过程中析出的碳酸氢钠在已有晶核上继续生长,而不过多的产生二次晶核。
  • B、碳化液在较小过饱和度下开始结晶时,成核速率大于晶核成长速率
  • C、在同样的过饱和度下,较高温度时晶体成长的速率大于与之相适应的晶核生成速率
  • D、要保持临界点与冷却段上层出水位置之间的距离不少于3m
  • E、在操作过程中,中温达到一定指标之前,不开或少开冷却水,加水时应缓慢的加
  • F、尽可能提高进塔CO2浓度

正确答案:A,C,D,E,F

第7题:

下列选项中,不会影响成核速率的的是()。

  • A、温度
  • B、杂
  • C、压力
  • D、过饱和度

正确答案:C

第8题:

当通过汽化移去溶液时,蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高,必须补充含颗粒的(),使升高的过饱和度尽快消失。

A.晶种

B.晶核

C.晶体

D.晶浆


参考答案:D

第9题:

成核的两种形式是()。

  • A、初次结晶,一次晶核
  • B、晶种,二次晶核
  • C、一次晶核,二次晶核
  • D、初次结晶,晶种

正确答案:C

第10题:

在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体,常在介稳区进行结晶。介稳区是指()。

  • A、溶液没有达到饱和的区域
  • B、溶液刚好达到饱和的区域
  • C、溶液有一定过饱和度,但程度小,不能自发地析出结晶的区域
  • D、溶液的过饱和程度大,能自发地析出结晶的区域

正确答案:C

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