矢量构造器
正的绝对坐标系轴之一
表面法向，指离实体
选择两个矢量箭头之一定义正方向
第1题：
第2题：
A.如果设置过高，则可用的PN偏置将减少，PN偏置的重用距离将减小，从而可能引起同PN干扰
B.如果设置太小（设置为1，总共有512个可用PN偏置），则容易发生邻PN干扰
C.如果设置过高，则可用的PN偏置将减少，PN偏置的重用距离将减小，从而可能引起邻PN干扰
D.如果设置太小（设置为1，总共有512个可用PN偏置），则容易发生同PN干扰
第3题：
A.发射结正向偏置，集电结反向偏置
B.发射结反向偏置，集电结反向偏置
C.发射结正向偏置，集电结正向偏置
D.发射结反向偏置，集电结正向偏置
第4题：
关于PIN和APD的偏置电压表述，正确的是（）。
第5题：
工件零点偏置可根据需要，将所需的偏置量输入（）中。
第6题：
关于PIN和APD的偏置电压表述,正确的是()
A.均为正向偏置
B.均为反向偏置
C.前者正偏,后者反偏
D.前者反偏,后者正偏
第7题：
体三极管用来放大时，应使 （）
第8题：
A、发射结正偏置，集电结反偏置
B、发射结正偏置，集电结正偏置
C、发射结反偏置，集电结正偏置
D、发射结反偏置，集电结反偏置
第9题：
晶体管工作在饱和区的条件是（）。
第10题：
三极管工作在放大状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在饱和状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在截止状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。