单结晶体管触发电路中,单结晶体管发射极的电容容量变大,控制角()。

题目
单选题
单结晶体管触发电路中,单结晶体管发射极的电容容量变大,控制角()。
A

变小

B

不变

C

变大

D

其它

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第1题:

单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。


正确答案:正确

第2题:

单结晶体管触发电路输出脉冲的幅度取决于()。

  • A、触发电路的充、放电时间常数
  • B、单结晶体管的谷点电流
  • C、单结晶体管的分压比
  • D、单结晶体管的谷点电压

正确答案:C

第3题:

利用单结晶体管的特性,配合适当的电阻和电容元件就可构成可控硅的触发电路。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第4题:

晶闸管整流电路中,常用单结晶体管做触发电路().

  • A、触发
  • B、保护
  • C、指示
  • D、限流

正确答案:A

第5题:

单结晶体管电路,如发射极电压等于峰点电压UP时,单结晶体管导通,导通后,当发射极电压减小到小于UV时,管子由导通变为截至。()


正确答案:正确

第6题:

单结晶体管触发电路的最大移相范围为0~90。


正确答案:错误

第7题:

单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变大,RB2则与发射极电流无关。


正确答案:错误

第8题:

下面是单结晶体管的特点说法正确的是()。

  • A、当发射极电压等于峰点电压UP时,单结晶体管导通,导通之后,当发射极电压减小到UEV时,管子由导通变为截止
  • B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小,RB2则与发射极电流无关
  • C、不同的单结晶体管有不同的UP和UV
  • D、一般单结晶体管的谷点电压在5~10V
  • E、单结晶体管体积小重量轻

正确答案:A,B,C

第9题:

单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的()。

  • A、饱和区
  • B、截止区
  • C、负阻区
  • D、触发区

正确答案:C

第10题:

单结晶体管触发电路通过调节()来调节控制角α。

  • A、电位器
  • B、电容器
  • C、变压器
  • D、电抗器

正确答案:A

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