违法和不良信息举报 联系客服
免费注册 登录

列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？

题目
问答题
列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？
如果没有搜索结果或未解决您的问题，请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题：

根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？


正确答案: 干法刻蚀是采用等离子体进行刻蚀的技术，根据原理分为溅射与离子铣（物理）、等离子刻蚀（化学）、反应离子刻蚀（物理+化学）。
干法刻蚀与湿法刻蚀相比具有以下优点：①刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁控制；②良好的CD控制③最小的光刻胶脱落或粘附问题④良好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性⑤较低的化学制品使用和处理费用
然而干法刻蚀也存在一些缺点，最主要的是对下层材料的选择比不高、等离子体带来的器件损伤以及昂贵的设备。

第2题：

下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

  • A、ARC可以是硅的氮化物
  • B、可用干法刻蚀除去
  • C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
  • D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
  • E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

正确答案:A,B,C,D,E

第3题：

简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。


正确答案:物理作用的刻蚀类似于溅射成膜的原理，利用惰性气体的辉光放电产生带正电的离子，在电场作用下加速吸引到下电极上面的基板上，轰击刻蚀薄膜的表面，将薄膜原子轰击出来的过程。常用的惰性气体有氦气（He）、氩气（Ar）等。作用过程完全利用物理上能量的转移进行的，具有很强的刻蚀方向性，可以获得高的各向异性刻蚀断面，线宽控制非常好。
化学作用的刻蚀是一种纯粹的化学反应，利用各种源如射频、微波等，将气体电离产生化学活性极强的原子团、分子团等，扩散到刻蚀薄膜的表面与薄膜发生化学反应，生产易挥发的反应生成物，由真空泵抽离真空反应室。由于只有化学反应发生称之为化学反应刻蚀，类似于湿法刻蚀。只是反应物和生成物都是气态的，且由反应物的等离子体决定刻蚀速率。

第4题：

单选题
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
A

a.离子束刻蚀、激光刻蚀

B

b.干法刻蚀、湿法刻蚀

C

c.溅射加工、直写加工


正确答案： A
解析： 暂无解析

第5题：

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  • A、刻蚀速率
  • B、选择性
  • C、各向同性
  • D、各向异性

正确答案:B

第6题：

在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。


正确答案: 光学放射频谱分析是利用检测等离子体中某种波长的光线强度变化来达到终点检测的目的。光强的变化反映了等离子体中原子或分子浓度的变化，根据检测的不同物质会有刻蚀终点光强增加与减弱两种状态。对于不同的刻蚀薄膜与刻蚀剂，有对应的需要检测的波长。不影响刻蚀的进行，且可对微小变化作出反应。光强正比于刻蚀速率，因此对刻蚀速率较慢的反映难以检测。刻蚀面积过小时，信号强度不足也会导致检测困难，如SiO2接触窗的刻蚀。

第7题：

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

  • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
  • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
  • C、溅射加工、直写加工
  • D、以上都可以

正确答案:A

第8题：

干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？


正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀的优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用
缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备

第9题：

问答题
二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
解析： 暂无解析

第10题：

判断题
通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
A

对

B

错


正确答案： 错
解析： 相反

更多相关问题
相关内容