质谱仪中的质量分析器有哪几种类型?它们的工作原理分别是怎样的?

题目
问答题
质谱仪中的质量分析器有哪几种类型?它们的工作原理分别是怎样的?
参考答案和解析
正确答案: 1)单聚焦
基本原理:带电粒子在磁场中发生偏转运动
2)四极杆
本原理:调整射频工作频率w来选择离子的质量,调整U与V的比值来调整离子的通过率。
3)飞行时间
基本原理:具有相同动能的物体,其运动速度与质量成反比
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

锅炉过热蒸汽减温器的作用是什么?一般有哪几种类型?它们的工作原理如何?


正确答案: 减温器是用来调节过热蒸汽温度的设备。一般有表面式减温器和混合式减温器。
(a)表面式减温器是一种管式热交换器,它以锅炉给水或锅水为冷却水,冷却水由管内流过而蒸汽由管外空间横向流过。
(b)混合式(喷水式)减温器是将水直接喷入过热蒸汽中以达到降温的目的,它结构简单,调温能力大而且惰性小,灵敏,易于自动化,是应用最广泛的一种调温设备。

第2题:

铰链四杆机构有哪几种基本类型?它们各有怎样的运动特点?


正确答案: (1)曲柄摇杆机构。铰链四杆机构的两个连架杆,若一杆为曲柄,另一杆为摇杆,则此机构称为曲柄摇杆机构。
(2)双曲柄机构。铰链四杆机构的两个连架杆都是曲柄,则称为双曲柄机构。
(3)双摇杆机构。两个连架杆均为摇杆的机构,则称为双摇杆机构。

第3题:

质谱仪的核心部件有()。

A、真空系统

B、样品导入系统

C、离子源

D、质量分析器


正确答案:C,D

第4题:

金属材料的强化机制有哪几种?它们的强化原理分别是什么?


正确答案:材料的强化机制主要有以下四种,分别为固溶强化、细晶强化、位错强化、第二相强化。
(一)固溶强化
由于固溶体中存在着溶质原子,便使其塑性变形抗力增加,强度、硬度提高,而塑性、韧性有所下降,这种现象称为固溶强化。
固溶强化的主要原因:一是溶质原子的溶入使固溶体的晶格发生畸变,对在滑移面上运动的位错有阻碍作用;二是在位错线上偏聚的溶质原子对位错的钉扎作用。
(二)细晶强化
一方面由于晶界的存在,使变形晶粒中的位错在晶界处受阻,每一晶粒中的滑移带也都终止在晶界附近;另一方面,由于各晶粒间存在着位向差,为了协调变形,要求每个晶粒必须进行多滑移,而多滑移必然要发生位错的相互交割,这两者均将大大提高金属材料的强度。显然,晶界越多,也即晶粒越细小,则其强化效果越显著,这种用细化晶粒增加晶界提高金属强度的方法称为晶界强化,也即细晶强化。
(三)位错强化
金属中的位错密度越高,则位错运动时越容易发生相互交割,形成割阶,造成位错缠结等位错运动的障碍,给继续塑性变形造成困难,从而提高金属的强度,这种用增加位错密度提高金属强度的方法称为位错强化。
(四)第二相强化
第二相粒子可以有效地阻碍位错运动,运动着的位错遇到滑移面上的第二相粒子时,或切过,或绕过,这样滑移变形才能继续进行。这一过程要消耗额外的能量,需要提高外加应力,所以造成强化。但是第二相粒子必须十分细小,粒子越弥散,其间距越小,则强化效果越好。这种有第二相粒子引起的强化作用称之为第二相强化。根据两者相互作用的方式有两种强化机制:弥散强化和沉淀强化。
绕过机制:基体与中间相的界面上存在点阵畸变和应力场,成为位错滑动的障碍。滑动位错遇到这种障碍变得弯曲,随切应力加大,位错弯曲程度加剧,并逐渐成为环状。由于两个颗粒间的位错线段符号相反,它们将断开,形成包围小颗粒的位错环。位错则越过颗粒继续向前滑动。随着位错不断绕过第二相颗粒,颗粒周围的位错环数逐渐增加,对后来的位错造成更大的阻力。
切过机制:位错与颗粒之间的阻力较小时,直接切过第二相颗粒,结果硬颗粒被切成上下两部分,并在切割面上产生位移,颗粒与基体间的界面面积增大,需要做功。并且,由于第二相与基体结构不同,位错扫过小颗粒必然引起局部原子错排,这也会增加位错运动的阻力,从而使金属强化。

第5题:

不用于质谱仪的质量分析器原理是()

  • A、离子回旋共振
  • B、四极杆
  • C、大气压电离
  • D、离子阱
  • E、飞行时间

正确答案:C

第6题:

常用溅射技术有哪几种,简述它们的工作原理和特点。


正确答案: 直流溅射——惰性气体,如氩,送入低压下的溅射腔体,电压加在电极上产生等离子体。加负直流电压的的是顶电极为需要淀积的源材料,例如铝或铝压板,作为靶材。硅片放置于底电极上,高能粒子撞击靶材,溅射出靶原子,这些原子以蒸汽形式自由走过等离子体撞击到硅片表面,凝聚并形成薄膜。
射频溅射——直流溅射方法的前提之一是靶材应具有较好的导电性。射频溅射是一种能适用于各种金属和非金属材料的一种溅射淀积方法。在两个电极之间接上高频电场时,因为高频电场可以经由其他阻抗形式耦合进入淀积室,不必要求电极一定是导电体。射频方法可以在靶材上产生自偏压效应.即在射频电场起作用的同时,靶材会自动地处于一个负电位,这将导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射。在实际应用中,射频溅射的交流辉光放电是在l3.56MHz下进行的。
反应溅射——采用以纯金属作为溅射靶材,但在工作气体中通入适量的活性气体,使其在溅射淀积的同时生成特定的化合物,这种在淀积的同时形成化合物的溅射技术被称为反应溅射方法。
偏压溅射:溅射刻蚀和偏压溅射淀积溅射刻蚀:在淀积前的一个短时间内,将衬底和靶的电学连接相颠倒,可以使得衬底发生溅射而不是靶材,这样可以从晶圆片表面去除自然氧化物和残留的玷污。对于简单的磁控系统,如果衬底和淀积材料是导体,可以调节加于衬底上的相对于等离子体的偏压。因为溅射刻蚀的薄膜,在低偏压下可以重新淀积于晶圆片上,因而得到台阶覆盖的净改善。

第7题:

手机切换的类型有哪几种?它们分别是什么?


正确答案:有四种方式,分别是同一基站内不同信道间的切换、同一BSC下不同基站之间的切换、同一MSC下不同BSC之间的切换、不同MSC之间的切换。

第8题:

质谱仪中需要真空的部位有

A、进样系统

B、离子源

C、质量分析器

D、检测器

E、质谱解析


参考答案:BCD

第9题:

某检验科欲购进一台质谱仪用于肿瘤新标志物的研究。最适合研究要求的质量分析器是()

  • A、单聚焦分析器
  • B、双聚焦分析器
  • C、四极杆分析器
  • D、离子阱质量分析器
  • E、飞行时间质量分析器

正确答案:E

第10题:

质谱仪的离子源主要类型有哪几种?各自的适用范围有哪些?


正确答案: (1)化学电离源(C1)适用范围:容易挥发、受热不易分解的样品。例如,较长直链的醇类、酯类、胺类、氨基酸及缩酮类等。
(2)电子轰击电离源(EI)适用范围:适用于容易挥发、对热稳定的样品。反之,不适用于热不稳定和难挥发化合物。
(3)快原子轰击源(FAB.适用范围:挥发性极低、极性强的有机化合物、离子型化合物,遇热不稳定的、相对分子质量较大的极性化合物。例如,氨基酸、多肽、糖、低聚糖、金属配合物及相对分子质量较大的热不稳定的难挥发的有机化合物。
(4)电喷雾电离源(ESI)适用范围:多肽、蛋白质、糖蛋白、核酸、配合物及其他多聚物的分析。
(5)大气压化学电离源(APCI)适用范围:主要应用于小分子分析,用选择性离子分子反应及单离子检测可提高定量分析的灵敏度和准确度。例如,食品中农药残留的定性和定量分析;药物在生物体内代谢过程的动力学研究等。