比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。

题目
问答题
比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。
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相似问题和答案

第1题:

砷化镓相对于硅的优点是什么?


正确答案:砷化镓具有比硅更高的电子迁移率,因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至于不能响应微波频率。砷化镓的材料电阻率更大,这使得砷化镓衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离,不会产生电学性能的损失。

第2题:

属于绝缘体的正确答案是()。

  • A、金属、石墨、人体、大地
  • B、橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
  • C、硅、锗、砷化镓、磷化铟
  • D、各种酸、碱、盐的水溶液

正确答案:B

第3题:

硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。

A.错误

B.正确


参考答案:B

第4题:

()和等硅基光伏材料,理论光伏能量转化效率可以达到38%,当前商业转化效率在20%左右,未来还有很大的发展空间。

  • A、单晶硅
  • B、多晶硅
  • C、碲化镉
  • D、铜铟镓硒化物

正确答案:A,B

第5题:

单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能()技术的最基本元件。

  • A、热能
  • B、光热发电
  • C、电磁辐射
  • D、光伏发电

正确答案:D

第6题:

下列材料属于N型半导体是()。

  • A、硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)
  • B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝(Al)
  • C、砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)
  • D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

正确答案:A,C

第7题:

通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。

  • A、空穴移向衬底深处
  • B、空穴移向二氧化硅层
  • C、电子移向二氧化硅层
  • D、电子移向衬底层深处

正确答案:C

第8题:

镓砷磷是砷化镓和磷化镓的固溶体,是一种()材料。


正确答案:发光

第9题:

霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。

  • A、锗
  • B、硅
  • C、砷化镓
  • D、砷化铟

正确答案:A,B,C,D

第10题:

转换效率比较高的太阻电池材料是()。

  • A、砷化镓
  • B、非晶硅
  • C、单晶硅
  • D、陶瓷

正确答案:A

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