问答题试述DRAM刷新过程和正常读/写过程的区别。

题目

问答题

试述DRAM刷新过程和正常读/写过程的区别。

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第1题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新通常情况下，哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：DRAM(Dynamic RAM)，是动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，是静态随机存取存储器(Static RAM)，且工作时需要刷新，故Ⅳ错，无论是集成度还是生产成本，DRAM都更具优势，故Ⅱ错。所以应选B。

第2题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

第3题：

有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?

答案：(1)存储器的总容量为16K×16位=256K位，所以用DRAM芯片为1K×4位=4K位，故芯片总数为：256K位/4K位=64片
(2)采用异步刷方式，在2ms时间内分散地把芯片64行刷新一遍，故刷新信号的时间间隔为2ms/64=31.25μs，即可取刷新信号周期为30μs。
(3)如采用集中刷新方式，假定T为读/写周期，如16组同时进行刷新，则所需刷新时间为64T。设T单位为μs，2ms=2000μs，则死时间率=(64T/2000)×100%。

第4题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D

第5题：

简述“读／写文件”操作的系统处理过程

参考答案：用户要对文件记录进行读/写时调用本操作，系统允许用户对已经执行过“打开”或“建立”操作的文件进行读/写。对采用顺序存取方式的文件，用户只需给出读/写的文件名，而无需给出读/写哪个记录的编号，系统执行本操作时，每次顺序读/写一个或几个逻辑记录。对采用随机存取方式的文件，用户除了给出需读/写的文件名外，还要给出读/写哪一个记录的编号(或记录键)，系统执行读操作时，按指定的记录号(或键)查索引表，得到记录存放的物理地址后按地址将记录读出;执行写操作时，在索引表中找一个空登记项且找一个空闲的存储块，把记录存入找到的存储块中，同时在索引表中登记。

第6题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

第7题：

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中正确的叙述是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

第8题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

第9题：

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D

第10题：

试述价值形成过程和价值增值过程的联系和区别。

正确答案：
【参考答案】(1)所谓价值形成过程，包括消耗的生产资料的价值向产品转移的过程和新价值的创造过程，这两种过程是以劳动二重性原理为基础的。
(2)首先，生产资料的价值是通过具体劳动转移到产品去的。
(3)其次，在生产过程中，生产者又耗费了一定的体力和脑力，这种抽象的劳动凝结在商品中就形成了新的价值。
(4)如果工人劳动所创造的新价值只相当于劳动力价值，即相当于资本家支付的工资，那么这只是单纯的价值形成过程。如果劳动被继续延长而生产出剩余价值，就成为价值增值过程。可见，价值增值过程是超过了一定点而延长了的价值形成过程。这一定点，就是工人补偿劳动力价值的劳动时间。

试述DRAM刷新过程和正常读/写过程的区别。

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