对
错
第1题：
某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。
第2题：
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
第3题：
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。
A、栅源电流
B、栅源电压
C、漏源电流
D、漏源电压
第4题：
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。
第5题：
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
第6题：
场效应晶体管与晶体管有何不同？
第7题：
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
第8题：
GTO指的是( )。
A、电力场效应晶体管
B、绝缘栅双极晶体管
C、电力晶体管
D、门极可关断晶闸管
第9题：
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
第10题：
请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。