刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。

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填空题
刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。
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第1题:

反应离子腐蚀是()。

  • A、化学刻蚀机理
  • B、物理刻蚀机理
  • C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

正确答案:C

第2题:

刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工艺。


正确答案:刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法刻蚀。
干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口,与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应),从而去掉曝露的表面材料,一般用于亚微米尺寸。
湿法刻蚀中,液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学方式去除硅片表面的材料,一般用于尺寸较大的情况下(大于3微米)。

第3题:

刻蚀方法有哪些?()

A.化学刻蚀

B.离子刻蚀

C.电解刻蚀

D.以上均不是


正确答案:ABC

第4题:

刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

  • A、选择性
  • B、均匀性
  • C、轮廓
  • D、刻蚀图案

正确答案:B

第5题:

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。

  • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
  • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
  • C、溅射加工、直写加工
  • D、以上都可以

正确答案:A

第6题:

干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么?


正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀的优点:
1.刻蚀剖面是各向异性,具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用
缺点:对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备

第7题:

在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。

  • A、单晶硅刻蚀
  • B、多晶硅刻蚀
  • C、二氧化硅刻蚀
  • D、氮化硅刻蚀

正确答案:A

第8题:

铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。

  • A、等离子体刻蚀
  • B、反应离子刻蚀
  • C、湿法刻蚀
  • D、溅射刻蚀

正确答案:D

第9题:

()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

  • A、刻蚀速率
  • B、刻蚀深度
  • C、移除速率
  • D、刻蚀时间

正确答案:A

第10题:

微细加工工艺方法主要有:(),光刻加工,体刻蚀加工技术,面刻蚀加工技术,LIGA技术,()和()。


正确答案:超微机械加工;封接技术;分子装配技术

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