在集成电路中常用的PNP管主要有两大类:()

题目
填空题
在集成电路中常用的PNP管主要有两大类:()
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相似问题和答案

第1题:

在某放大电路中,测得三极管静态电位VBE =0.2V、VCE = 4V,则这只三极管为( )。

A.NPN硅管

B.NPN锗管

C.PNP硅管

D.PNP锗管


正确答案:B

第2题:

在某放大电路中,测得三极管各电极对地的电压分别为6V/9.8V/10V,由此可判断该三极管为(  )。

A. NPN硅管
B. NPN锗管
C. PNP硅管
D. PNP锗管

答案:D
解析:
PNP和NPN型半导体三极管具有几乎等同的特性,只是各电极端的电压极性和电流流向不一样,如题解图所示。



晶体管工作于放大状态的外部条件是:发射结正偏,集电结反偏。三个电极的电位关系为:NPN管,UC>UB>UE;PNP管,UC<UB<UE。
正向压降:
①NPN型硅管为+(0.6~0.8)V,PNP型硅管为-(0.6~0.8)V;
②NPN型锗管为+(0.2~0.4)V,PNP型锗管为-(0.2~0.4)V。
三极管放大状态时,基极电位为三个极电位中的中间数值,因此可以确定9.8V为基极B。与基极相差0.7V或0.2V的极为发射极,可以确定10V为发射极E,基极相差0.2V,所以是锗管,那么6V为集电极C。
根据各极电位确定电流方向为由发射极流向基极,可确定为PNP锗管。

第3题:

在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。

A、NPN 型硅管

B、NPN 型锗管

C、PNP 型硅管

D、PNP 型锗管


正确答案:A

第4题:

在某放大电路中,测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V,则这只三极管为()。

  • A、NPN硅管
  • B、NPN锗管
  • C、PNP硅管
  • D、PNP锗管

正确答案:B

第5题:

在放大电路中,若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V,1.2V,1V,则该管为:()。

A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管
D.PNP型锗管

答案:C
解析:

第6题:


A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.NPN型硅管
D.PNP型硅管

答案:A
解析:

第7题:

在某放大电路中,测得三极管各电极对‘地’的电压分别为6V/9.8V/10V,由此可判断该三极管为()
(A)NPN硅管(B)NPN锗管(C)PNP硅管(D)PNP锗管


答案:D
解析:
解:选D。由于电压堡垒Ud的大小:硅材料为0.7V,锗材料为0.2V,排除A、C。三极管的结构分为平面型(NPN)、合金型(PNP)。

第8题:

下列关于集成电路的叙述错误的是()。

A、将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上就构成集成电路。

B、现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓。

C、集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路。

D、集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路。


参考答案:D

第9题:

常用的预测方法主要有两大类:()、()。
定性预测法;定量预测法

第10题:

在OTL功率放大器中,两晶体三极管特性和参数相同并且一定是()。

  • A、NPN管与NPN管
  • B、PNP管与PNP管
  • C、NPN管与PNP管
  • D、NPN管或PNP管

正确答案:C

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