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场效应管是以（）控制漏极电流ID。

题目
单选题
场效应管是以（）控制漏极电流ID。
A

UDG

B

UDS

C

UGS

D

IGS

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第1题：

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A、不能形成导电沟道

B、漏极电压为零

C、能够形成导电沟道

D、漏极电流不为零


参考答案：A

第2题：

场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

A、栅极电流

B、栅源电压

C、源极电压

D、源极电流


参考答案：B

第3题：

场效应管的工作原理是()

A、栅源电压控制漏极电流

B、栅源电压控制漏极电压

C、栅极电流控制漏极电流

D、栅极电流控制漏极电压


参考答案：A

第4题：

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。

  • A、均为电压控制
  • B、均为电流控制
  • C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制
  • D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制

正确答案:C

第5题：

场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。

A.原极；

B.漏极；

C.栅极；


参考答案：B

第6题：

二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。

A、穿过两个PN结

B、穿过一个PN结

C、不穿过PN结

D、穿过三个PN结


参考答案：B、A、C

第7题：

当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()

A.增大

B.不变

C.减小

D.不确定


答案：A

第8题：

场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。

A.很大

B.随VDS变化

C.较小

D.等于0


正确答案：D

第9题：

功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


正确答案:错误

第10题：

三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。

  • A、均为电压控制
  • B、均为电流控制
  • C、三极管为电压控制，场效应管为电流控制
  • D、三极管为电流控制，场效应管为电压控制

正确答案:C

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