请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

第1题：

描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

• A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
• B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
• C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
• D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

第2题：

场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）

第3题：

第4题：

晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。

第5题：

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。

• A、均为电压控制
• B、均为电流控制
• C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制
• D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制

第6题：

晶体管电流放大作用的实质是什么？为什么晶体管具有电流放大作用？

第7题：

场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入（）。

第8题：

第9题：

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。

• A、电压
• B、电流
• C、双极型为电压、场效应为电流
• D、双极型为电流、场效应为电压

第10题：

MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。