问答题说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。

题目

问答题

说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。

参考答案和解析

正确答案： S.RAM：静态RAM，读写速度快，但是集成度低，容量小，主要用作Cache或小系统的内存储器。
D.RAM：动态RAM，读写速度慢于静态RAM，但是它的集成度高，单片容量大，现代微型计算机的“主存”均由DRAM构成。
M.ROM：掩膜ROM，由芯片制作商在生产、制作时写入其中数据，成本低，适合于批量较大、程序和数据已经成熟、不需要修改的场合。
P.ROM：可编程ROM，允许用户自行写入芯片内容。芯片出厂时，所有位均处于全“0”或全“1”状态，数据写入后不能恢复。因此，PROM只能写入一次。
E.PROM：可擦除可编程只读存储器，可根据用户的需求，多次写入和擦除，重复使用。用于系统开发，需要反复修改的场合。

解析：暂无解析

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相似问题和答案

第1题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

第2题：

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D

第3题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

第4题：

可用紫外光线擦除信息的存储器是（）。

A. DRAM
B. PROM
C. EPROM
D. EEPROM

答案：C

解析：

试题分析：主存储器的种类。 ①RAM：随机存储器，可读写，断电后数据无法保存，只能暂存数据。 ②SRAM：静态随机存储器，在不断电时信息能够一直保持。 ③DRAM：动态随机存储器，需要定时刷新以维持信息不丢失。 ④ROM：只读存储器，出厂前用掩膜技术写入，常用于存放BIOS和微程序控制。 ⑤PROM：可编程ROM，只能够一次写入，需用特殊电子设备进行写入。 ⑥EPROM：可擦除的PROM，用紫外线照射15~20分钟可擦去所有信息，可写入多次。 ⑦EEPROM：电可擦除EPROM，可以写入，但速度慢。 ⑧闪速存储器：现在U盘使用的种类，可以快速写入。

第5题：

SRAM和DRAM的区别?()

A.SRAM比DRAM功耗高

B.SRAM比DRAM成本高

C.SRAM比DRAM速度快

D.SRAM比DRAM散热大

参考答案：ABCD

第6题：

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中正确的叙述是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

第7题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D

第8题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

第9题：

构成计算机系统内存的主要存储器件是（）。

A.SRAM B.DRAM C.PROM D.EPROM

正确答案：B

第10题：

工作时需要动态刷新的是（）。

A. DRAM
B. PROM
C. EPROM
D. SRAM

答案：A

解析：

主存储器的种类。 ①RAM：随机存储器，可读写，断电后数据无法保存，只能暂存数据。 ②SRAM：静态随机存储器，在不断电时信息能够一直保持。 ③DRAM：动态随机存储器，需要定时刷新以维持信息不丢失。 ④ROM：只读存储器，出厂前用掩膜技术写入，常用于存放BIOS和微程序控制。 ⑤PROM：可编程ROM，只能够一次写入，需用特殊电子设备进行写入。 ⑥EPROM：可擦除的PROM，用紫外线照射15~20分钟可擦去所有信息，可写入多次。 ⑦E2PROM：电可擦除EPROM，可以写入，但速度慢。 ⑧闪速存储器：现在U盘使用的种类，可以快速写入。

说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。

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