在硅晶体中掺入少量磷,则形成()半导体,其少数载流子为()。

题目
填空题
在硅晶体中掺入少量磷,则形成()半导体,其少数载流子为()。
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第1题:

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷

正确答案:A

第2题:

在纯净的半导体硅中掺入硼元素,则构成了电子型半导体


正确答案:错误

第3题:

在半导体硅(锗)中掺入磷、锑等五价元素,得到P型半导体。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错误

第4题:

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。


正确答案:电子;空穴;空穴;电子;电子;空穴

第5题:

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷
  • E、空穴
  • F、自由电子

正确答案:A,C

第6题:

本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。


正确答案:空穴;五价;N;电子

第7题:

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。


正确答案:五;自由电子;空穴;正

第8题:

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。

  • A、自由电子,空穴;扩散,飘移 
  • B、空穴,自由电子;漂移,扩散 
  • C、空穴,自由电子;扩散,漂移 
  • D、自由电子,空穴;漂移,扩散 
  • E、自由电子,空穴;扩散,扩散

正确答案:C

第9题:

在半导体硅(锗)中掺入磷、锑等五价元素,得到P型半导体。


正确答案:错误

第10题:

P型半导体中多数载流子为(),少数载流子为()。


正确答案:空穴;自由电子

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