违法和不良信息举报 联系客服
免费注册 登录

DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？

题目
问答题
DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？
参考答案和解析
正确答案： DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。
解析： 暂无解析
如果没有搜索结果或未解决您的问题，请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ


正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

第2题：

用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？


正确答案:因为要求CPU在1μs内至少要访存一次，所以不能使用集中刷新方式，分散和异步刷新方式都可以使用，但异步刷新方式比较合理。
相邻两行之间的刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs。取15.5μs，即进行读或写操作31次之后刷新一行。
对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间＝0.5μs×128＝64μs。

第3题：

有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?


答案：(1)存储器的总容量为16K×16位=256K位，所以用DRAM芯片为1K×4位=4K位，故芯片总数为：256K位/4K位=64片
(2)采用异步刷方式，在2ms时间内分散地把芯片64行刷新一遍，故刷新信号的时间间隔为2ms/64=31.25μs，即可取刷新信号周期为30μs。
(3)如采用集中刷新方式，假定T为读/写周期，如16组同时进行刷新，则所需刷新时间为64T。设T单位为μs，2ms=2000μs，则死时间率=(64T/2000)×100%。

第4题：

DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？


正确答案: DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。

第5题：

DRAM为什么要刷新？RAM是如何实现寻址的？


正确答案: 所有的DRAM基本单元都是由一个晶体管和一个电容组成，一个电容可以存储一定的电子或电荷，电容的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，一个充电的电容在数字电路中被认为是逻辑上的1，而未充电的电荷表示逻辑的0，但是电容有一个制性，那就是不能持久的保持存储的电荷，所以内存需要不断的定时刷新，才能保持暂存的数据；当CPU处理信息时，需要将信息存储到RAM中。如果需要将数据“写”到RAM中，则处理器会发出一“写”信号到CPU中，通过系统总线，到达RAM单元。这些RAM单元然后就按行或列地址将这些信息数据存储到指定点的“栅格”中；当CPU需要读取RAM中的数据时，则会向RAM发出请求信号，这些信号中包含地址信息，以确定那些栅格中的位置。

第6题：

动态存储器，DRAM的三种刷新方式是()。

A.集中刷新
B.分散刷新
C.同步刷新
D.异步式刷新

答案：A,B,D
解析：
①集中式--正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。特点：存在一段停止读/写操作的死时间，适用于高速存储器②分散式--将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。特点：不存在停止读/写操作的死时间但系统运行速度降低。③异步式--前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

第7题：

动态RAM为什么要刷新？一般有几种刷新方式？各有什么优缺点？


正确答案:DRAM记忆单元是通过栅极电容上存储的电荷来暂存信息的，由于电容上的电荷会随着时间的推移被逐渐泄放掉，因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷，这个过程就叫做刷新。常见的刷新方式有集中式、分散式和异步式3种。集中方式的特点是读写操作时不受刷新工作的影响，系统的存取速度比较高；但有死区，而且存储容量越大，死区就越长。分散方式的特点是没有死区；但它加长了系统的存取周期，降低了整机的速度，且刷新过于频繁，没有充分利用所允许的最大刷新间隔。异步方式虽然也有死区，但比集中方式的死区小得多，而且减少了刷新次数，是比较实用的一种刷新方式。

第8题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ


正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

第9题：

有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？


正确答案: （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
所需芯片数4096KB÷128KB=32片
（2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs

第10题：

什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。


正确答案:刷新：对DRAM定期进行的全部重写过程；
刷新原因：因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排了定期刷新操作；
常用的刷新方法有三种：集中式、分散式、异步式。
集中式：在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新，存在CPU访存死时间。
分散式：在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死时间。
异步式：是集中式和分散式的折衷。

更多相关问题
相关内容