问答题简述A—A/O工艺流程及工艺特点。

题目

问答题

简述A—A/O工艺流程及工艺特点。

如果没有搜索结果或未解决您的问题，请直接联系老师获取答案。

相似问题和答案

第1题：

简述工艺流程？

正确答案:来自压缩三段的变换气经两活性炭罐及水分去除硫化氢及油水后，从底部进入提纯段处于吸附状态的吸附塔，变换气中的大部分CO₂、H₂S等气体被硅胶吸附，中间气由塔顶出来，然后从底部进入净化段处于吸附状态的吸附塔，CO₂、H₂S等气体进一步被塔内硅胶吸附脱除，净化气由塔顶出来，再经精脱罐进一步脱除H₂S后去压缩四段入口。吸附了CO₂的吸附塔关闭原料气进出口阀，降压再生，解吸出纯度较高的CO₂供尿素使用，纯度较低的放空或回收。

第2题：

简述低压电力及控制电缆敷设施工工艺流程。

正确答案:土沟开挖、揭开电缆沟盖板、沟底高程测量检测、电缆管制安、隐蔽工程检查、电缆敷设、土沟回填、盖板恢复、质量检查、填写安装记录。

第3题：

识读工艺流程图的先后次序为( )

A.工艺流程，标题栏，流程简述

B.标题栏，工艺流程，流程简述

C.标题栏，流程简述，工艺流程

D.流程简述，工艺流程，标题栏

正确答案：C

第4题：

什么叫油库的工艺流程及工艺流程图？

正确答案: 油库的工艺流程：合理布置和规划油库中石油的流向和可以完成的作业，包括灌装、倒灌、装卸。工艺流程图：通过管线、阀门、油泵等设施将装卸设施、储油罐、灌装设备等有机的联系在一起，反映油库的生产关系！

第5题：

简述湿法成网的工艺原理和工艺流程。

正确答案:1）工艺原理：以水为介质，造纸技术为基础，将纤维铺制成纤网。
2）工艺流程：纤维原料→悬浮浆制备→湿法成网→加固→后处理

第6题：

简述轧制工艺流程？

正确答案: 打开轧辊，轧管冷却水--充氮气--启动轧机主，辅电机--启动飞剪及成卷机--将铜坯输送到喂料设备--穿心杆--喂料小车推进--二次进给喂进--轧制--剪头--成卷--涂油--剪尾--亏口--喂料小车返回--二次进给返回--芯杆返回--旋转摆臂--吹净轧管内的存水

第7题：

简述A²/O工艺流程及特点。

正确答案:优点：A²/O工艺通过厌氧、缺氧、好氧交替运行，具有同步脱氮除磷的功能，基本上不存在污泥膨胀问题；A²/O工艺流程简单，总水力停留时间少于其他同类工艺，并且不需外加碳源。厌氧、缺氧段只进行缓速搅拌，运行费用低。
缺点：因受到污泥龄、回流污泥中挟带的溶解氧和硝酸盐的限制，除磷效果不可能十分理想；脱氮效果取决于混合液回流比，而A²/O工艺的混合液回流比又不能太高（小于200%），所以脱氮效果不能满足较高要求。

第8题：

简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。

正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。

第9题：

简述先张法空心板梁预制的工艺流程及注意事项。

正确答案:整理底模――张拉应力——绑扎底模钢筋——安装内模板——绑扎其它部位钢筋——安装倒模——浇筑砼（已制作砼试块）

第10题：

简述小麦制粉全过程的工艺流程及关键技术要点。

正确答案: 工艺流程：小麦的生产，首先要将所使用的原料小麦经过清理，调质，混配等准备工作，然后通过研磨，筛理，清粉，打麸，松粉等工序，形成制粉工艺的全过程。

简述A—A/O工艺流程及工艺特点。

题目

相似问题和答案

更多相关问题

相关内容