简述均匀相成核和非均匀相成核。

题目
问答题
简述均匀相成核和非均匀相成核。
参考答案和解析
正确答案: 在晶体生长过程中,新相核的发生和长大称为成核过程。成核过程可分为均匀成核和非均匀成核。
所谓的均匀成核,是指在一个热力学体系内,各处的成核几率相等。由于热力学体系的涨落现象,在某个瞬间,体系中某个局部区域偏离平衡态,出现密度涨落,这时,这个小局部区域中的原子或分子可能一时聚集起来成为新相的原子集团(称为胚芽)。这些胚芽在另一个瞬间可能又解体成为原始态的原子或分子。但某些满足一定条件的胚芽可能成为晶体生长的核心。如果这时有相变驱动力的作用,这些胚芽可以发展成为新的相核,进而生长成为晶体。晶核的形成存在一个临界半径,当晶核半径小于此半径时,晶核趋于消失,只有当其半径大于此半径时,晶核才稳定地长大。
所谓非均匀成核,是指体系在外来质点,容器壁或原有晶体表面上形成的核。在此类体系中,成核几率在空间各点不同。自然界中的雨雪冰雹等的形成都属于非均匀成核。
实际上,在所有物质体系中都会发生非均匀成核。有目的地利用体系的非均匀成核,可以达到特殊的效果和作用。
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。

  • A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒
  • B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒
  • C、非均匀成核势垒=均匀成核势垒
  • D、视具体情况而定,以上三种均可能。

正确答案:B

第2题:

依靠相界、晶界或基质的结构缺陷等不均匀部位而成核的过程,称为()又称()


正确答案:非均匀成核;非本征成核

第3题:

均匀成核的成核速率Iv由() 和 () 因子所决定的。


正确答案:受核化位垒影响的成核率因子;受原子扩散影响的成核率因子

第4题:

非均匀成核


正确答案:是指借助于表面、界面、微粒裂纹器壁以及各种催化位置等而形成晶核的过程

第5题:

均匀成核的成核速率Iv由()因子所决定的


正确答案:受核化位垒影响的成核率因子、受原子扩散影响的成核率因子

第6题:

在相同条件下,非均匀成核与均匀成核比较,非均匀成核()。

  • A、晶核数目更多
  • B、晶核大小更均匀
  • C、需要更大的过冷度
  • D、均不对

正确答案:D

第7题:

在气泡周围容易发生均匀成核。


正确答案:错误

第8题:

什么是均匀成核?


正确答案: 处于过冷状态的玻璃熔体,由于热运动引起组成上和结构上的起伏,一部分变成晶相。晶相内质点的有规则排列导致体积自由能的减小。然而在新相产生的同时,又将在新生相和液相之间形成新的界面,引起界面自由能的增加,对成核造成势垒。因此,在新相形成过程中,同时存在两种相反的能量变化。当新相的颗粒太小时,界面对体积的比例大,整个体系的自由能增大。但当新相达到一定大小(临界值)时,界面对体积的比例就减小,系统自由能的变化⊿G为负值,这时新生相就有可能稳定成长。这种可能稳定成长的新相区域称为晶核。那些较小的不能稳定成长的新相区域称为晶胚。Q3.6非均匀成核比均匀成核易于发生。

第9题:

液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。


正确答案:

第10题:

非均匀成核, 一级相变


正确答案: 非均匀成核:是指借助于表面、界面、微粒裂纹器壁以及各种催化位置等而形成晶核的过程
一级相变:体系由一相变为另一相时,如两相的化学势相等但化学势的一级偏微商(一级导数)不相等的称为一级相变。