临界晶核形核功

第1题：

结晶过程是（）的过程。

• A、形核及晶核长大
• B、形核及晶核转变
• C、晶核及质点长大
• D、晶核及质点转变

第2题：

非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。

第3题：

晶核的形成有（）方式。

• A、自发形核（异质形核）
• B、非自发形核（异质形核）
• C、自发形核（均质形核）
• D、非自发形核（均质形核）

第4题：

其它条件不变的情况下，提高过冷度，下面哪个现象不会发生（）

• A、可能出现的最大晶坯尺寸变大
• B、临界晶核半径变大
• C、形核功减小
• D、形核率增加

第5题：

为何从球冠形晶核模型推导出的临界晶核半径与实际偏差很大？更符合实际的模型是什么样的？

第6题：

下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）

• A、非均匀形核比均匀形核的形核率高；
• B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；
• C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；
• D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

第7题：

金属的再结晶转变，也要经历形核与晶核长大的过程。

第8题：

只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做（）。

• A、自发形核
• B、非自发形核
• C、结晶
• D、形核

第9题：

随着过冷度的增大，晶核形核率N（），长大率G（）。

第10题：

非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大，其促进非均匀形核的作用越大。