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突触后电位有哪些类型？其产生机制如何？

题目
问答题
突触后电位有哪些类型？其产生机制如何？
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第1题：

脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生（ ）。

A．工作电位

B．诱发电位

C．兴奋性突触后电位

D．抑制性突触后电位

E．突触后电位同步总和


正确答案：E

第2题：

抑制性突触电位产生的机制是

A.突触前膜释放抑制性递质
B.递质与突触后膜受体结合
C.突触后膜对Cl-通透性增加
D.后膜去极化

答案：A,B,C
解析：

第3题：

脑电波的形成机制是大量皮层神经无同时发生()

A、工作电位

B、诱发电位

C、兴奋性突触后电位

D、抑制性突触后电位

E、突触后电位同步总和


参考答案：E

第4题：

脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生？（）

  • A、工作电位
  • B、诱发电位
  • C、兴奋性突触后电位
  • D、抑制性突触后电位
  • E、突触后电位同步总和

正确答案:E

第5题：

抑制性突触后电位( )

A.由突触前末梢递质释放减少而产生
B.使突触后膜电位远离阈电位水平
C.
D.

答案：B
解析：

第6题：

抑制性突触后电位


A.由突触前末梢递质释放减少而产生
B.使突触后膜电位远离阈电位水平
C.由突触后膜Na+电导增加而产生
D.是一种去极化抑制的突触后电位

答案：B
解析：

第7题：

下列关于生物电的叙述中，错误的是

A.感受器电位和突触后电位的幅度可随刺激强度的增加而增大
B.感受器电位和突触后电位的幅度在产生部位较其周围大
C.感受器电位和突触后电位均可以总和
D.感受器电位和突触后电位的幅度比动作电位大

答案：D
解析：

第8题：

由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括

A、兴奋性突触后电位和局部电位

B、抑制性突触后电位和局部电位

C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位

D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位

E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位


参考答案：E

第9题：

关于生物电的叙述中，哪一项是错误的

  • A、感受器电位和突触后电位的幅度可随刺激强度的增加而增大
  • B、感受器电位和突触后电位的幅度在产生部位较其周围大
  • C、感受器电位和突触后电位均可以总和
  • D、感受器电位和突触后电位的幅度比动作电位大
  • E、感受器电位和突触后电位都是局部电位

正确答案:D

第10题：

何谓兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位？兴奋如何通过突触传递使突触后神经元兴奋（兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理）？


正确答案:兴奋性突触后电位（EPSP）是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称为兴奋性突触后电位。
抑制性突触后电位（IPSP）是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化称为抑制性突触后电位。
兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理：突触前神经元兴奋→突触前膜去极化→前膜电压门控Ca2+通道开放→Ca2+内流→轴浆中形成4Ca2+-CaM复合物→CaM
kinaseⅡ→突触蛋白Ⅰ磷酸化并从突触小泡表面解离→突触蛋白Ⅰ对小泡与前膜融合和释放递质的阻碍作用解除→递质释放→递质在突触间隙扩散并结合于突触后膜受体或化学门控通道→  后膜对某些离子通透性↑→突触后膜发生一定程度的去极化或超极化。nEPSP+nIPSP（总和）→突触后膜电位去极化→达到阈电位→轴突始段爆发动作电位，然后传遍整个细胞膜。

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