按照晶体结构缺陷形成的原因,可将晶体结构缺陷的类型分为()。

题目
单选题
按照晶体结构缺陷形成的原因,可将晶体结构缺陷的类型分为()。
A

热缺陷

B

杂质缺陷

C

非化学计量缺陷

D

A+B+C

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第1题:

影响电子电导的因素包括温度、晶体结构、晶格缺陷()


答案:错
解析:

第2题:

内部控制缺陷按照形成原因可以分为()。

  • A、设计缺陷
  • B、运行缺陷
  • C、重大缺陷
  • D、重要缺陷
  • E、一般缺陷

正确答案:A,B

第3题:

根据两种元素相互作用的关系,以及形成晶体结构和显微组织的特点可将合金的组织分为三类。()


答案:√

第4题:

实际金属晶体结构中的晶界属于晶体缺陷中的()。

  • A、点缺陷
  • B、线缺陷
  • C、面缺陷
  • D、宏观缺陷

正确答案:B

第5题:

晶体缺陷就是指实际晶体结构与理想晶体结构发生()的区域。


正确答案:偏差

第6题:

根据两种元素相互作用的关系,以及形成晶体结构和显微组织的特点可将合金的组织分为三类。

A

B



第7题:

实际金属的晶体结构不仅是一个多晶体,而且还存在有很多缺陷。


正确答案:正确

第8题:

晶体结构的缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:对

第9题:

由于金属中存在着晶体结构缺陷,所以对其力学性能不利。


正确答案:错误

第10题:

矿物晶体结构上的缺陷往往会降低矿物的活性。


正确答案:错误