半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。

第1题：

第2题：

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

第3题：

第4题：

半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。

第5题：

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）

• A、越高
• B、不确定
• C、越低
• D、不变

第6题：

抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）

第7题：

氧化型气体吸附到N型半导体上，将使载流子数目（），从而使材料的电阻率（）．

第8题：

答案：A

解析：

由霍尔式压力传感器原理公式：

式中的RH称为霍尔系数，表示霍尔效应的强弱，且

霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积；半导体的载流子浓度与温度有关，故半导体的霍尔系数受也温度的影响。

第9题：

掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关

第10题：

Electrical conductivity（）

• A、电导率
• B、载流子数
• C、载流子迁移率