第1题:
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括
A、兴奋性突触后电位和局部电位
B、抑制性突触后电位和局部电位
C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位
D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位
E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
第2题:
第3题:
第4题:
抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
第5题:
试述兴奋性突触后后电位和抑制性突触后电位的特征。
第6题:
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。
第7题:
试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
第8题:
膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。
第9题:
兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么?
第10题:
抑制性突触后电位