简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。

题目
问答题
简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。
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相似问题和答案

第1题:

简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。


正确答案:优点:1)具有较高的载流子迁移率;
2)多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小,稳定性高,更适合作为AMOLED显示的驱动器件;
3)由于迁移率高,还可以减小TFT器件的尺寸,可以保证一样的开态电流,但像素开口率提高;
4)容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件,实现周边驱动的CMOS集成电路。

第2题:

单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能()技术的最基本元件。

  • A、热能
  • B、光热发电
  • C、电磁辐射
  • D、光伏发电

正确答案:D

第3题:

宁东光伏电站的电池组件是()材料。

  • A、多晶硅
  • B、单晶硅
  • C、薄膜
  • D、砷化钾

正确答案:A

第4题:

叙述单晶、多晶和非晶体衍射花样的特征。


正确答案:单晶的电子衍射花样由排列得十分整齐的许多斑点组成,多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的同心圆环,非晶体的电子衍射花样只有一个漫射的中心斑。

第5题:

测试校准原则:多晶对多晶,单晶对单晶


正确答案:正确

第6题:

简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。


正确答案:1)高迁移率;
2)容易p型和n型掺杂;
3)自对准结构;
4)抗光干扰能力强;
5)抗电磁干扰能力强。

第7题:

公司使用的电池片可分为多晶和单晶两种,其中多晶电池片又可分为多晶体单晶面与多晶体多晶面。


正确答案:正确

第8题:

薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是()。 

  • A、多晶体
  • B、非晶体
  • C、砷化镓
  • D、单晶体

正确答案:D

第9题:

简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。


正确答案: 三种装置不仅可以用于硅外延生长,也较广泛的用于GaAs,AsPAs,GeSi合金和SiC等其它外延层生长;还可用于氧化硅、氮化硅;多晶硅基金属等薄膜的沉积。
(1)卧式反应器可以用于硅外延生长,装置3~4片衬底 。
(2)立式反应器可以用于硅外延生长,装置6~8片衬底/次。
(3)桶式反应器可以用于硅外延生长,装置24~30片衬底/次。

第10题:

通常情况下光电转换效率最高的是()太阳电池。

  • A、单晶硅
  • B、多晶硅
  • C、薄膜
  • D、有机半导体

正确答案:A