不利于提高非均匀形核时形核率的因素是（）

第1题：

下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）

• A、非均匀形核比均匀形核的形核率高；
• B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；
• C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；
• D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

第2题：

非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。

第3题：

晶核的形成有（）方式。

• A、自发形核（异质形核）
• B、非自发形核（异质形核）
• C、自发形核（均质形核）
• D、非自发形核（均质形核）

第4题：

下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（）

• A、临界晶核的体积和表面积越小；
• B、形核需要的过冷度越小；
• C、需要的形核功越小。。

第5题：

非均匀形核

第6题：

非均匀形核的形核功与接触角θ有关，θ角（），形核功越小，形核率越高。

• A、越小
• B、越大
• C、为90°
• D、以上都不对

第7题：

非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大，其促进非均匀形核的作用越大。

第8题：

在凝固过程中形核的两种方式是（）形核和非自发形核。

第9题：

合金凝固时，为了获得细小的晶粒尺寸，往往增加结晶过冷度以提高形核率，问是否总是过冷度越大，形核率越高，为什么？

第10题：