简述晶粒生长与二次再结晶的特点,以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。

题目
问答题
简述晶粒生长与二次再结晶的特点,以及造成二次再结晶的原因和控制二次再结晶的方法。
参考答案和解析
正确答案: 晶粒生长:坯体内晶粒尺寸均匀地生长,服从Dl∝d/f公式;平均尺寸增长,不存在晶核,界面处于平衡状态,界面上无应力;晶粒生长时气孔都维持在晶界上或晶界交汇处。
二次再结晶是个别晶粒异常生长,不服从上式;二次再结晶的大晶粒的面上有应力存在,晶界数大于10的大晶粒,成为二次再结晶的晶核;二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。
从工艺控制考虑,造成二次再结晶的原因主要是原始粒度不均匀、烧结温度偏高。 
防止二次再结晶的最好方法是引入适当的添加剂,它能抑制晶界迁移,有效地加速气孔的排除;控制烧结温度 ;选择原始粒度的均匀原材料。
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

为改善冷变形金属塑性变形的能力,可采用()。

  • A、低温退火
  • B、再结晶退火
  • C、二次再结晶退火
  • D、变质处理

正确答案:B

第2题:

再结晶过程不是相变,二次再结晶过程也不是相变。


正确答案:正确

第3题:

晶粒生长,二次再结晶


正确答案: 晶粒生长:平衡晶粒尺寸在不改变其分布的情况下,连续增大的过程。
二次再结晶:是少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程。

第4题:

试就(1)推动力来源;(2)推动力大小;(3)在陶瓷系统的重要性来区别初次再结晶、晶粒长大和二次再结晶。


正确答案: 晶粒生长——材料热处理时,平均晶粒连续增大的过程。
推动力:基质塑性变形所增加的能量提供了使晶界移动和晶粒长大的足够能量。晶粒生长取决于晶界移动的速率。
二次再结晶——(晶粒异常生长或晶粒不连续生长)少数巨大晶体在细晶消耗时成核-长大过程。
推动力:
大、小晶粒表面能的不同。
二次再结晶晶粒长大
不均匀生长均匀生长
不符合D1=d/f符合D1=d/f
气孔被晶粒包裹气孔排除
界面上有应力界面无应力

第5题:

二次再结晶的影响因素


正确答案: (1)晶粒晶界数(原始颗粒的均匀度)
(2)起始物料颗粒的大小
(3)工艺因素

第6题:

二次再结晶是()

  • A、相变过程
  • B、形核长大过程
  • C、某些晶粒特别长大的现象

正确答案:B

第7题:

二次再结晶的影响因素有哪些?


正确答案:(1)晶粒晶界数(原始颗粒的均匀度)
(2)起始物料颗粒的大小
(3)工艺因素

第8题:

冷轧取向硅钢中,钢中()与锰生成的夹杂抑制一次晶粒的长大,促使二次再结晶的发展。

  • A、硫
  • B、磷
  • C、碳

正确答案:A

第9题:

二次再结晶


正确答案:是少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

第10题:

名词解释:烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。


正确答案: (1)烧结:粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理,目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
(2)烧结温度:坯体在高温作用下,发生一系列物理化学反应,最后显气孔率接近于零,达到致密程度最大值时,工艺上称此种状态为"烧结",达到烧结时相应的温度,称为"烧结温度"。
(3)泰曼温度:固体晶格开始明显流动的温度,一般在固体熔点(绝对温度)的2/3处的温度。在煅烧时,固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移,在晶格内部空间扩散(容积扩散)和再结晶。而在塔曼温度以上,主要为烧结,结晶黏结长大。
(4)液相烧结:烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
(5)固相烧结:在固态状态下进行的烧结。
(6)初次再结晶:初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
(7)晶粒长大:是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
(8)二次再结晶:再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。