平衡载流子和非平衡载流子

题目
名词解释题
平衡载流子和非平衡载流子
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第1题:

PN宽度稳定后,()。

  • A、载流子停止运动
  • B、只有多数载流子的扩散运动
  • C、扩散与漂移运行达到动态平衡
  • D、只有少数载流子的漂移运动

正确答案:C

第2题:

在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()


正确答案:错误

第3题:

三极管的反向电流ICBO是由()组成的。

A、多数载流子

B、少数载流子

C、多数载流子和少数载流子

D、带电离子


参考答案:B

第4题:

了解PN结正向电压—电流特性;多子与少子;非平衡少数载流子注入;正向电流(电池的暗电流)及方向。


正确答案: 特性:势垒区中的电场减小,由Vo变为(Vo-V);势垒高度减小,由eV0变为e(Vo-V);势垒区宽度w减小。出现非平衡载流子注入:载流子扩散电流大于漂移电流。n区中电子不断扩散到p区,p区中空穴不断扩散到n区,这种注入载流子的,为非平衡少子。正向电流:对PN结施加正向偏压V后,扩散电流大于漂移电流,导致非平衡少子注入而产生的电流。方向由p指向n。

第5题:

下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()

  • A、仅自由电子是载流子
  • B、仅空穴是载流子
  • C、自由电子和空穴都是载流子
  • D、三价杂质离子也是载流子

正确答案:C

第6题:

PN结的宽度稳定后()。

  • A、载流子停止运动
  • B、只有多数载流子的扩散运动
  • C、扩散与漂移运动达到动态平衡

正确答案:C

第7题:

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()

  • A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散
  • B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移
  • C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散
  • D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

正确答案:D

第8题:

电导率σ=nqμ,其中n是,q是,μ是。()

A.载流子的数量,电场强度,载流子的迁移率
B.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移速度
C.载流子的数量,载流子的电荷量,载流子迁移速率
D.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移率

答案:C
解析:

第9题:

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。


正确答案:电子;空穴;空穴;电子;电子;空穴

第10题:

PN结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的()运动和少数载流子的()运动。


正确答案:扩散;漂移

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