0.1~0.2V/0.3V
0.2~0.3V/0.7V
0.3~0.5V/0.7V
0.5V/0.7V
第1题:
硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。
第2题:
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
第3题:
第4题:
什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?
第5题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
第6题:
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
第7题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第8题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
第9题:
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
第10题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。