在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。

题目
单选题
在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
A

0.1~0.2V/0.3V

B

0.2~0.3V/0.7V

C

0.3~0.5V/0.7V

D

0.5V/0.7V

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第1题:

硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。


正确答案:正确

第2题:

二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。


正确答案:错误

第3题:

在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。


参考答案:0.3V 0.7V半

第4题:

什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?


正确答案:当加在二极管上的正向电压小于某一数值时,二极管电流非常小,只有当正向电压大于该数值后,电流随所加电压的增大而迅速增大,该电压称为二极管的死区电压,它是由二极管中PN的内电场引起的。硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。

第5题:

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()


正确答案:正确

第6题:

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?


正确答案: 当正向超过某值Us时,正向电流才迅速增大,这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后,空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散,当外加正向电压很低时,不能克服内电场的阻碍作用,这样使得正向扩散电流很小,通过=极管的电流较小(近似为o),硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。

第7题:

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()


正确答案:0.6~0.8V;0.2~0.4V

第8题:

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。

  • A、大
  • B、小
  • C、相等
  • D、无法判定

正确答案:A

第9题:

二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?


正确答案:当外加正向电压很低时,正向电流很小,几乎为零。当正向电压超过一定数值后,电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常,硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.5V。

第10题:

常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。


正确答案:0.6(或0.7);0.2(或0.3)

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