0.4V
0.5V
0.6V
0.7V
第1题:
第2题:
第3题:
此题为判断题(对,错)。
第4题:
2CW10表示()
第5题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
第6题:
第7题:
第8题:
A、锗开关
B、锗普通
C、硅普通
D、硅开关
第9题:
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
第10题:
硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。
晶体二极管按制造材料不同,分为硅二极管和锗二极管。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
型号2AP9是()二极管。A、锗普通B、硅普通C、锗开关D、硅开关
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
单选题硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流()A 大B 小C 相等D 以上答案都不对
型号为2AP9的是()二极管。A、锗普通B、硅普通C、锗开关D、硅开关
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
2CZ54D是()。A、N型硅整流二极管B、P型锗整流二极管C、N型硅整流稳压二极管D、P型锗整流开关二极管
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
硅二极管反向导通电流一般()。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小