对
错
第1题：
下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）
第2题：
试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的（）%时，缺陷漏磁通开始急剧增大
第3题：
在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关
第4题：
在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关
第5题：
试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时，缺陷漏磁通开始急剧增大
第6题：
在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关
第7题：
在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关
第8题：
磁粉探伤操作时磁化是首先根据缺陷特性与试件形状选定磁化方法，在根据磁化方法，磁粉，试件的材质、形状、尺寸等确定磁化电流值，使试件表面有效磁场的磁通密度达到试件材料饱和磁通密度的（）。
第9题：
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
第10题：
在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关