对
错
第1题：
高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。
A2倍
B3倍
C5倍
第2题：
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
A对
B错
第3题：
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
A对
B错
第4题：
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。
第5题：
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
第6题：
高压整流硅堆的额定整流电流应大于工作电流。
A对
B错
第7题：
直流耐压试验电压为50000伏，要求高压整流硅堆的额定反峰不得低于（）。
第8题：
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。
A升压试验变压器T
B高压硅堆V
C保护电阻R
第9题：
两支ZDL＝100高压硅堆串联使用时，如果不做任何均压措施，则其使用电压应为硅堆额定电压之和的70～80%。
第10题：
高压整流硅堆的额定整流电流应大于工作电流。