碘化铯晶体层
非晶硅TFT阵列
光电二极管
行驱动电路
表面电极
第1题:
关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()。
A.属于间接转换型平板探测器
B.常见的多为碘化铯+非晶硅型
C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上
D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影
E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程
第2题:
关于平板检测器的叙述,错误的是
A.有直接转换型和间接转换型
B.其极限分辨率比屏-片系统低
C.其MTF比屏-片系统低
D.其DQ正比屏-片系统高
E.DQE比CR系统高
第3题:
关于平板探测器的叙述,错误的是
A.分为直接转换型和间接转换型
B.其极限分辨率比屏/片系统低
C.其MTF比屏/片系统低
D.其DQE比屏/片系统高
E.其DQE比CR系统高
第4题:
叙述直接转换型平板探测器的工作原理。
第5题:
对间接转换型数字平板探测器的分辨率下降关系最小的是()
第6题:
对间接转换型数字平板探测器的分辨率下降关系最小的是()。
A.碘化铯的其针状(或称柱状)结构
B.闪烁体层制作得较厚
C.像素太小
D.像素太大
E.光电二极管/晶体管阵列放置在闪烁体的射出表面上
第7题:
关于平板检测器的叙述,错误的是
A.有直接转换型和间接转换型
B.其极限分辨率比屏一片系统低
C.其MTF比屏一片系统低
D.其DQE比屏一片系统高
E.DQE比CR系统高
第8题:
关于平板探测器的叙述,错误的是
A、有直接转换型和间接转换型
B、其极限分辨率比屏/片系统低
C、其MTF比屏/片系统低
D、其DQE比屏/片系统高
E、DQE比CR系统高
第9题:
关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()
第10题:
关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()