第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
第3题:
A.结型管
B耗尽型MOS管
C增强型MOS管
第4题:
增强型NMOS管
第5题:
什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP、NPN?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)
第6题:
第7题:
A.增强型
B.耗尽型
C.增强型和耗尽型
D.以上均不对
第8题:
()场效应管能采取自偏压电路。
A、增强型和结型
B、耗尽型和结型
C、都不能
D、增强型和耗尽型
第9题:
由下列器件构成的模拟开关中,导通电阻最低的是( )。
A.CMOS场效应管
B.PMOS场效应管
C.NMOS场效应管
D.二簧继电器
第10题:
耗尽型NMOS管