增强型NMOS管

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名词解释题
增强型NMOS管
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第1题:

CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第2题:

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管


参考答案:AB

第3题:

vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。

A.结型管

B耗尽型MOS管

C增强型MOS管


正确答案:C

第4题:

增强型NMOS管


正确答案:栅极电压为正时形成导电沟道的NMOS管,称为增强型NMOS管。

第5题:

什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP、NPN?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)


正确答案:
 

第6题:

场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。


参考答案:电子 空穴

第7题:

场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。

A.增强型

B.耗尽型

C.增强型和耗尽型

D.以上均不对


参考答案:C

第8题:

()场效应管能采取自偏压电路。

A、增强型和结型

B、耗尽型和结型

C、都不能

D、增强型和耗尽型


参考答案:B

第9题:

由下列器件构成的模拟开关中,导通电阻最低的是( )。

A.CMOS场效应管

B.PMOS场效应管

C.NMOS场效应管

D.二簧继电器


正确答案:D

第10题:

耗尽型NMOS管


正确答案:栅极电压为零时已经形成导电沟道,必须在栅极上加上负电压,才使沟道消失,称为耗尽型NMOS管。