白光LED半导体光源优点

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问答题
白光LED半导体光源优点
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相似问题和答案

第1题:

LED光源的优点是高效、寿命长。


正确答案:正确

第2题:

LED背光源采用的是白光LED,还是RGB三基色LED,哪种更有优势?


正确答案:白色光LED背光源采用能发出白色光的LED光源代替原来的CCFL荧光管。结构与CCFL背光源基本一致,主要差别是CCFL是线光源,而LED是点光源。优点是:结构简单、亮度可动态调节、容易实现区域控制、对比度很高。由于白光LED不涉及背光源的调光,在电路结构方面要求不高。在成本上比RGB-LED背光源低。缺点是:在色彩显示特性方面上不如RGB-LED电视,一般只能达到NTSC色域的70%左右。
RGB-LED背光源的优点是:
1)高色彩表现力。采用RGB三原色独立发光器件,能实现广色域;
2)高动态对比度。RGB-LED电视可以支持背光区域调光技术,亮度调节更容易实现,对比度能够达到千万:1级,提高了电视的图像质量。RGB-LED背光源的缺点是:成本高;需要单独的调光电路和更好的散热结构;结构复杂,难以做到轻薄化。
从性能上比RGB三基色LED更有优势,从成本上比白光LED更有优势。

第3题:

阐述光源半导体激光器LD和半导体发光二极管LED的主要区别和作用。


正确答案:LD和LED相比,其主要区别在于,前者发出的是激光,后者发出的是荧光,因此,LED的谱线宽度较宽,调制效率低,与光纤的耦合效率也较低;但它的输出特性曲线线性好,使用寿命长,成本低,适用于短距离、小容量的传输系统。而LD一般适用于长距离、大容量的传输系统,在高速率的PDH和SDH设备上已被广泛采用。

第4题:

内调制方式的强度调制特性主要由半导体光源LD、LED的()曲线决定。

  • A、V-I曲线
  • B、P-I曲线

正确答案:B

第5题:

目前制造白光LED的主流技术是()。

  • A、近紫外LED芯片+RGB荧光粉
  • B、RGB三基色合成白光
  • C、蓝光LED芯片+YAG荧光粉
  • D、蓝光LED芯片+黄光LED芯片

正确答案:C

第6题:

简述白光LED半导体光源优点。


正确答案: 白光LED半导体光源具有电压低、能耗小、寿命长、可靠性高等突出优点。同样亮度的LED半导体光源耗电量仅为普通白炽灯的1/12,寿命可延长100倍。

第7题:

高效节能光源分哪几种()

  • A、荧光灯
  • B、气体放电灯
  • C、半导体灯(LED灯)

正确答案:A,B,C

第8题:

LED与传统光源相比有哪些优点?


答案:节能、长寿、环保、灵活、安全等。

第9题:

传统光源相比,LED光源有哪些优点?


正确答案: LED作为一个发光器件,之所以备受人们关注,是有其较其他发光器件优越的方面,归纳起来LED有下列一些优点:
工作寿命长:LED作为一种导体固体发光器件,较之其他发光器具有更长的工作寿命。其亮度半衰期通常可达到十万小时。如用LED替代传统的汽车用灯,那么它的寿命将远大于汽车本体的寿命,具有终身不用修理与更换的特点。
耗电低:LED是一种低压工作器件,因此在同等亮度下,耗电最小,可大量降低能耗。相反,随着今后工艺和材料的发展,将具有更高的发光效率。人们作过计算,假如日本的照明灯具全部用LED替代,则可减少二座大型电厂,从而对环境保护十分有利。
响应时间快:LED一般可在几十毫秒(ns)内响应,因此是一种告诉器件,这也是其他光源望尘莫及的。采用LED制作汽车的高位刹车灯在高速状态下,大提高了汽车的安全性。
体积小,重量轻、耐抗击:这是半导体固体器件的固有特点。彩LED可制作各类清晰精致的显示器件。
易于调光、调色、可控性大:LED作为一种发光器件,可以通过流过电流的变化控制亮度,也可通过不同波长LED的配置实现色彩的变化与调节。因此用LED组成的光源或显示屏,易于通过电子控制来达到各种应用的需要,与IC电脑在兼容性无比毫困难。另外,LED光源的应用原则上不受窨的限制,可塑性极强,可以任意延伸,实现积木式拼装。目前大屏幕的彩色显示屏非LED莫属。
用LED制作的光源不存在诸如水银、铅等环境污染物,不会污染环境。因此人们将LED光源称为“绿色”光源是受之无愧的。

第10题:

LED的发光源是PN结,是如何制成的?哪些是常用来制造LED的半导体材料?


正确答案: 发光二极管的实质性结构是半导体PN结。在PN结上加正向电压时注入少数载流子,少数载流子的复合发光就是发光二极管的工作机理。
PN结就是指在一单晶中,具有相邻的P区和N区的结构,它通常是在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生另一种导电类型的薄层来制得的。如曾用离子注入法制成碳化硅蓝色LED,用扩散法制成GaAs、GaAs0.60P0.40/GaAs0.35P0.65:N/GaP、GaAs0.15P0.85:N/GaP、GaP:ZnO/GaP的红外、红光、橙光、黄光、红光LED,而GaAlAs、InGaN、InGaAlP超高亮度LED都是由生长结制成。生长结一般较扩散法和离子注入法是过补偿制成PN结,无用杂质过多且造成晶体质量下降,缺陷增多,使用权非辐射复合增加,导致发光效率下降。常用来制造LED的半导体材料主要有砷化镓、磷化镓、镓铝砷、磷砷化镓、铟镓氮、铟镓铝磷等III-V族化合物半导体材料,其他还有IV族化合物半导体碳化硅、II-VI族化合物硒化锌等。