对
错
第1题:
第2题:
第3题:
此题为判断题(对,错)。
第4题:
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
第5题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第6题:
第7题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
第8题:
第9题:
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
第10题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
硅二极管反向导通电流一般()。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。