非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持的时间为()

题目
单选题
非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持的时间为()
A

1min

B

2min

C

3min

D

4min

E

5min

参考答案和解析
正确答案: A
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物

B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物

C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形

D、禁止使用橡皮轮磨光

E、用50~100μm的氧化铝喷砂

PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同

E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm


参考答案:问题 1 答案:C


问题 2 答案:A

第2题:

在金-瓷修复体中,目前国内临床上最常采用的修复种类是

A、全瓷

B、贵金属烤瓷

C、非贵金属烤瓷

D、半贵金属烤瓷

E、钛合金烤瓷


参考答案:C

第3题:

金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持

A、1~2分钟

B、3~5分钟

C、5~10分钟

D、10~12分钟

E、12~15分钟


参考答案:D

第4题:

下列有关烤瓷金属内冠除气的说法,正确的是()

  • A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体,并形成氧化膜
  • B、贵金属需在半真空下加热10~15分钟即可
  • C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可
  • D、理想的氧层厚度是0.2~2μm
  • E、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系

正确答案:A,C,D

第5题:

PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是

A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

B.贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

C.巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

D.非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同

E.理想的氧化膜厚度为0.2~2μm


正确答案:A

第6题:

烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上,再加热至预定的终点温度,在非真空下继续维持

A、18~20min

B、15~17min

C、11~13min

D、5~10min

E、2~4min


参考答案:D

第7题:

金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持

A.0.5~1.0min

B.1~3min

C.5~10min

D.20~30min

E.30min以上


正确答案:C

第8题:

下列贵金属烤瓷冠的特点中正确的是( )

A、贵金属易被氧化分解

B、化学性能较活泼,不稳定

C、非贵金属烤瓷强度高,与瓷粉结合力较贵金属强

D、内冠表面的氧化膜较非贵金属薄而致密

E、非贵金属烤瓷会发生龈染色而贵金属烤瓷不会


参考答案:D

第9题:

金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是()。

  • A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
  • B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
  • C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
  • D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
  • E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm

正确答案:A

第10题:

单选题
烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上,再加热至预定的终点温度,在非真空下继续维持(  )。
A

18~20min

B

15~17min

C

11~13min

D

5~10min

E

2~4min


正确答案: D
解析: 暂无解析