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单选题多丝正比电离室探测器是（）A 直接探测器B 间接探测器C 模拟探测器D 平板探测器E 动态探测器

题目
单选题
多丝正比电离室探测器是（）
A

直接探测器

B

间接探测器

C

模拟探测器

D

平板探测器

E

动态探测器

参考答案和解析
正确答案： A
解析： 暂无解析
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第1题：

多丝正比电离室探测器是

A.间接探测器
B.直接探测器
C.动态探测器
D.平板探测器
E.模拟探测器

答案：B
解析：

第2题：

属于DR成像直接转换方式的部件是

A.闪烁体+CCD摄像机阵列
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室

答案：B
解析：
DR成像直接转换方式的部件为非晶硒平板探测器，X线光子可直接转换为电信号。

第3题：

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

A.砸鼓检测器

B.IP成像转换器

C.直接转换平板探测器

D.间接转换平板探测器

E.多丝正比室检测器


正确答案：C

第4题：

属于DR成像直接转换方式的部件是（）

  • A、闪烁体+CCD摄像机阵列
  • B、非晶硒平板探测器
  • C、碘化铯+非晶硅探测器
  • D、半导体狭缝线阵探测器
  • E、多丝正比电离室

正确答案:B

第5题：

关于DR探测器的类型，错误的是

A.非晶硒平板型探测器
B.非晶硅平板型探测器
C.碘化铯平板型探测器
D.多丝正比室扫描DR
E.CCD摄像机型DR

答案：B
解析：
除B选项外，其余皆属DR探测器类型。

第6题：

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

A.IP成像转换器
B.直接转换平板探测器
C.间接转换平板探测器
D.硒鼓检测器
E.多丝正比室检测器

答案：B
解析：

第7题：

属于DR成像间接转换方式的部件是

A.增感屏
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室

答案：C
解析：
DR成像间接转换方式的部件是碘化铯+非晶硅探测器，X线照射碘化铯，X线光子转换为可见光，可见光激发非晶硅光电二极管阵列产生电信号。

第8题：

数字X线摄影(DR)不包括

A.直接转换平板探测器

B.间接转换平板探测器

C.多丝正比室探测器

D.闪烁体+CCD摄像机阵列

E.线扫描计算机X线摄影


正确答案：E

第9题：

需通过光敏元件成像的探测器是（）

  • A、空气电离室
  • B、CCD探测器
  • C、多丝正比电离室
  • D、半导体狭缝扫描仪
  • E、直接转换平板探测器

正确答案:B

第10题：

属于DR成像间接转换方式的部件是（）

  • A、增感屏
  • B、非晶硒平板探测器
  • C、碘化铯+非晶硅探测器
  • D、半导体狭缝线阵探测器
  • E、多丝正比电离室

正确答案:C

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