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单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”

题目
单选题
MOS场效应管的英语缩写是（）。
A

“IGBT”

B

“BJT”

C

“GTO”

D

“MOSFET”

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第1题：

IGBT是一个复合型的器件,它是( )

A.GTR驱动的MOSFET

B.MOSFET驱动的GTR&"160;

C.MOSFET驱动的晶闸管

D.MOSFET驱动的GTO


参考答案：B

第2题：

可关断晶闸管的英语缩写是（）。

  • A、“IGBT”
  • B、“BJT”
  • C、“GTO”
  • D、“MOSFET”

正确答案:C

第3题：

SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。

A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT

B.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT

C.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE

D.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE


正确答案:C

第4题：

场效应管的类型有（）。

  • A、结型场效应管
  • B、绝缘栅型场效应管
  • C、N沟道增强型MOS管
  • D、P沟道增强型MOS管
  • E、N沟道耗尽型MOS管
  • F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第5题：

功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。

  • A、MOSFET功率场效应管
  • B、IGBT绝缘栅双极晶体管
  • C、GTR晶闸管
  • D、BJT双极型晶体管

正确答案:C

第6题：

IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

A、GTR驱动的MOSFET

B、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管

D、MOSFET驱动的GT0


参考答案：B

第7题：

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。

  • A、结构复杂
  • B、复合
  • C、全控型
  • D、电压驱动式

正确答案:B,C,D

第8题：

IGBT有哪些缺点?( )

A、开关速度不及电力MOSFET

B、开关速度比电力MOSFET快

C、电压、电流容量不及GTO

D、电压、电流容量比GTO大


正确答案:A,C

第9题：

已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等


正确答案:场效应

第10题：

IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？


正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

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