单选题以下哪一项关于粒子反转的描述是错误的：（）A 粒子数反转，指的就是高能态的粒子数多于低能态的粒子数的状态B 光、电、化学方法均可以产生粒子反转C 没有粒子反转也可以产生某些激光D 当要实现粒子数反转，就得给粒子体系增加一种外界的作用，这个过程叫泵浦E 处于高能级被反转上去的粒子很不稳定

题目

单选题

以下哪一项关于粒子反转的描述是错误的：（）

A

粒子数反转，指的就是高能态的粒子数多于低能态的粒子数的状态

B

光、电、化学方法均可以产生粒子反转

C

没有粒子反转也可以产生某些激光

D

当要实现粒子数反转，就得给粒子体系增加一种外界的作用，这个过程叫泵浦

E

处于高能级被反转上去的粒子很不稳定

参考答案和解析

正确答案： A

解析：暂无解析

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第1题：

当物质中处于高能级上的粒子数大于处于低能级上的粒子数时，则物质处于()状态。

A.全反射

B.粒子数反转

C.受激吸收

D.自发辐射

参考答案：B

第2题：

半导体材料做成的激光器，当激光器的PN结上外加的正向偏压足够大时，将使得PN结的结区出现了高能级粒子多、低能级粒子少的分布状态，这是粒子数反转分布状态。()

答案：对

解析：

第3题：

泵浦源的作用是()。

A、粒子数反转

B、起振条件

C、增益饱和效益

D、减小振荡模式数

参考答案：A

第4题：

半导体激光器实现粒子数反转的条件是什么？

正确答案: 实现粒子数反转的条件：
1、必须使费米能级进入导带和价带，这需要高掺杂。
2、另外要在P-N结上加上足够的正向电压v’，使ev’＝E^－F－E^+F>E_g，P-N结这个作用区很小，厚度为μm量级。当E_g〈hv〈E^-F-E^+F的光入射时产生受激放大。

第5题：

粒子数反转分布是指（）。

A、高能级电子数多于低能级电子数
B、高能级电子数小于低能级电子数
C、高能级电子数多不大于能级电子数
D、高能级电子数等于低能级电子数

正确答案:A

第6题：

在激光器中，能实现粒子数反转分布的物质称为×××。

正确答案：
激活介质

第7题：

以下哪一项关于粒子反转的描述是错误的：（）

A、粒子数反转，指的就是高能态的粒子数多于低能态的粒子数的状态
B、光、电、化学方法均可以产生粒子反转
C、没有粒子反转也可以产生某些激光
D、当要实现粒子数反转，就得给粒子体系增加一种外界的作用，这个过程叫泵浦
E、处于高能级被反转上去的粒子很不稳定

正确答案:C

第8题：

什么是粒子数反转?什么情况下能实现光放大?

参考答案：粒子数反转分布是指高能级粒子布居数大于低能级的粒子布居数。处于粒子数反转分布的介质(叫激活介质)可实现光放大。

第9题：

产生激光的条件是（）。

A、粒子数正转
B、粒子数反转
C、谐振腔光放大
D、工作物质

正确答案:B,C,D

第10题：

粒子数反转分布

正确答案: 通常把处于激发态（高能级）的原子数大于处于基态（低能级）的原子数的这种反常情况，称为分布反转或粒子数反转。

题目

参考答案和解析

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